2021年中國NOR Flash行業(yè)市場競爭格局
時間:2022-03-25 14:22 閱讀:1063 整理:市場調(diào)研公司
1、中國NOR Flash行業(yè)龍頭企業(yè)全方位對比:兆易創(chuàng)新VS普冉股份
NOR Flash是除DRAM和NAND Flash之外最大規(guī)模的利基型存儲,國內(nèi)代表廠商布局主要為兆易創(chuàng)新和普冉股份。其中兆易創(chuàng)新在全球NOR Flash市場排名第三,2020年市場份額達到15.6%,為中國NOR Flash市場龍頭,普冉股份在NOR Flash領(lǐng)域具有優(yōu)秀的設(shè)計能力,是目前市場上少數(shù)能夠利用SONOS工藝平臺完成NOR Flash存儲器芯片的研發(fā)設(shè)計的企業(yè)之一,產(chǎn)品在中小容量市場份額快速提升。
2、普冉股份:NOR Flash業(yè)務的布局歷程
無錫普雅半導體有限公司(普冉股份前身)成立于2012年。2016年普冉股份成立,同年普雅將相關(guān)技術(shù)專利、股份、客戶等轉(zhuǎn)移至普冉股份。普冉股份于2021年上市,公司采用SONOS工藝完成了512Kbit-128Mbit NOR Flash的產(chǎn)品布局,從工藝制程和容量維度持續(xù)實現(xiàn)技術(shù)迭代,以提升產(chǎn)品的性價比和競爭力。
3、普冉股份:NOR Flash業(yè)務布局及運營現(xiàn)狀分析
1)普冉股份-NOR Flash產(chǎn)品應用:廣泛應用于智能手機、TWS耳機和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域
公司NOR Flash產(chǎn)品主要采用SONOS電荷俘獲工藝結(jié)構(gòu),與晶圓廠聯(lián)合開發(fā)和優(yōu)化55nm NOR Flash工藝制程,使得NOR Flash芯片具備了寬電壓、超低功耗、快速擦除和高性價比等特點以及領(lǐng)先的成本優(yōu)勢。公司可提供從512Kbit到128Mbit容量的系列產(chǎn)品,覆蓋1.65V-3.6V的操作電壓區(qū)間,應用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控和指紋、TDDI、AMOLED、可穿戴設(shè)備、車載導航和安全芯片等領(lǐng)域。
從公司NOR Flash產(chǎn)品分應用領(lǐng)域收入來看,2018-2020年,手機屏幕、可穿戴設(shè)備占比逐年提升,藍牙和手機屏幕依然占據(jù)主要份額,2020年分別占NOR Flash產(chǎn)品營收比重的43.17%、21.16%。
2)普冉股份-NOR Flash主要客戶:主要分布在上海、深圳等地
在NOR Flash業(yè)務方面,公司已經(jīng)和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍訊等主控原廠,深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務合作關(guān)系,產(chǎn)品應用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯(lián)想、惠普等品牌廠商。2020年,公司NOR Flash的前五大銷售客戶占比合計達39.29%,其中杰理科技占據(jù)了公司的第一大銷售客戶和第一大直銷客戶。
3)普冉股份-NOR Flash銷售情況:出貨量增速較快、產(chǎn)品單價回升
隨著公司和下游客戶之間業(yè)務的不斷開展,公司NOR Flash產(chǎn)品的功耗、穩(wěn)定性和兼容性得到了國內(nèi)外客戶的認可,出貨量逐年增長,公司已經(jīng)逐漸成為了NOR Flash市場中重要的供應商之一。2018年至2020年,公司NOR Flash產(chǎn)品出貨量分別為6.35、14.63和24.60億顆,保持穩(wěn)步增長,單價在2020年也迎來回升。
4、普冉股份-NOR Flash業(yè)務經(jīng)營業(yè)績:小容量、低功耗產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢帶來市場份額提升
從普冉股份NOR Flash業(yè)務的經(jīng)營情況來看,2018-2020年,普冉股份NOR Flash產(chǎn)品營收由1.35億元增長至4.93億元,CAGR達到91.1%,主要得益于公司小容量、低功耗產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢帶來市場份額提升,疊加下游消費電子、IoT需求快速增長,同時海外客戶業(yè)務規(guī)模上升。2020年,普冉股份NOR Flash產(chǎn)品毛利率小幅下降,主要原因為NOR Flash的晶圓產(chǎn)能緊張?zhí)岣吡藛挝怀杀尽?
5、普冉股份:NOR Flash業(yè)務投資規(guī)劃
2021年8月,普冉股份公開發(fā)行股票所募集的資金扣除發(fā)行費用后,將投資于以下項目:閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)項目。其中,閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目中,公司將采用領(lǐng)先于業(yè)界的工藝制程,對NOR Flash存儲器芯片開展設(shè)計研究,實現(xiàn)公司在先進制程、大容量Flash存儲器芯片領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化。
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